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    CVD全英文是Chemical Vapor Deposition中文是“化學(xué)氣相淀積”，是指含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑，液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室里，管式電爐在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的重要過(guò)程。

 
     曾經(jīng)在VCD機(jī)生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)的年代，內(nèi)部定制的一種碟片標(biāo)準(zhǔn)，具有多層菜單，用的C-CUBE公司的芯片. 

    在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備經(jīng)過(guò)CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

    CVD的特點(diǎn)淀積溫度低，薄膜成份易控膜厚淀積時(shí)間成正比，均勻性重復(fù)性好，電爐臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。